電磁屏蔽理論

電磁場通過金屬材料隔離時(shí)，電磁場的強(qiáng)度將明顯降低，這種現(xiàn)象就是金屬材料的屏蔽作用。我們可以用同一位置無屏蔽體時(shí)電磁場的強(qiáng)度與加屏蔽體之后電磁場的強(qiáng)度之比來表征金屬材料的屏蔽作用，定義

屏蔽效能（Shielding Effectiveness，簡稱 SE）：

SE = 20lg（E1/E2） ，電場的屏蔽效能

SE = 20 lg（H1/H2） ，磁場的屏蔽效能
式中： E1, H1為無屏蔽體時(shí)的電場強(qiáng)度和磁場強(qiáng)度，
E2, H2為有屏蔽體時(shí)的電場強(qiáng)度和磁場強(qiáng)度。

屏蔽體上孔縫的影響
實(shí)際上，屏蔽體上面不可避免地存在各種縫隙、開孔以及進(jìn)出電纜等各種缺陷，這些缺陷將對屏蔽體的屏蔽效能有急劇的劣化作用。
上節(jié)中分析的理想屏蔽體在 30MHz 以上的屏蔽效能已經(jīng)足夠高，遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過工程實(shí)際的需要。真正決定實(shí)際屏蔽體的屏蔽效能的因素是各種電氣不連續(xù)缺陷，包括：縫隙、開孔、電纜穿透等。
屏蔽體上面的縫隙十分常見，特別是目前機(jī)柜、插箱均是采用拼裝方式，其縫隙十分多，如果處理不妥，縫隙將急劇劣化屏蔽體的屏蔽效能。

電纜的屏蔽設(shè)計(jì)
如果導(dǎo)體從屏蔽體中穿出去，將對屏蔽體的屏蔽效能產(chǎn)生顯著的劣化作用。這種穿透比較典型的是電纜從屏蔽體中穿出。
電纜穿透的作用是將屏蔽體內(nèi)外通過導(dǎo)線連通，等效于兩個(gè)背靠背的天線，對屏蔽體的屏蔽有極大的影響。