晶體管Q1的關(guān)斷損耗

按照上面所說的方法，盡管波形已經(jīng)反向，在關(guān)斷期間，C1和品體管Q1上都有類似的平均電流與電壓。在關(guān)斷時間t1-t2內(nèi)，晶體管的功耗與在關(guān)斷結(jié)束時刻t存儲在C比電不大上的能量相等因此:

式中，PQ1(off)=關(guān)斷期間在Q1的功耗，單位為mW；

C1=緩沖網(wǎng)絡(luò)電容，單位為μF；

Vceo=晶體管Vceo。額定值，70%Vceo=是Ic=0時選擇的較大電壓值；

?=頻率，單位為kHz。

緩沖網(wǎng)絡(luò)的電阻值

緩沖網(wǎng)絡(luò)中放電電阻R1被用來在已定義的較小導(dǎo)通期間內(nèi)使緩沖網(wǎng)絡(luò)電容C1放電較小的導(dǎo)通時間由在較大輸入電壓以及較大工作頻率條件下所定義的較小負載決定。

CR時間常數(shù)應(yīng)該小于較小導(dǎo)通時間的50%，保證C1能夠在下一個關(guān)斷時間前進行有效的放電。因此

緩沖網(wǎng)絡(luò)中電阻的功耗

每個周期內(nèi)，在緩沖網(wǎng)絡(luò)中的電阻功耗等于關(guān)斷結(jié)束時存儲在電容C1的能量，而C1上的電壓與變換器電路的類型有關(guān)。根據(jù)全部能量變換觀點，C1上的電壓將等于充電器電壓Vcc，因此在下個導(dǎo)通期間到來之前，所有的反向電壓都會降為零值。對于連續(xù)工作方式，C1上的電壓就等于充電器電壓與變壓器副邊反射到原邊的電壓之和。在C1放電前的電壓是Vc，則R1的功耗PR用以下公式計算:

密勒電流效應(yīng)

在測量關(guān)斷電流時，設(shè)計者應(yīng)考慮會出現(xiàn)不可避免的密勒效應(yīng)，密勒電流將在關(guān)斷沿流過集電極電容。

在討論高壓晶體管工作的過程中密勒效應(yīng)經(jīng)常被忽略。即使Q完全關(guān)斷，密勒電流還是會引起明顯的集電極電流。它的幅值與集電極電壓的變化率（dVc／dt）以及集電極基極間的耗盡電容有關(guān)。此外，如果在開關(guān)晶體管Q1上裝有一個散熱器，那么在Q1集電極與公共地線之間將會有一個相當(dāng)大的電容存在，這給集電極電流提供了另一條通路這不應(yīng)與密勒電流本身相混淆，它的幅值一般比密勒電流大幾倍。

在整個關(guān)斷期間，這些耦合電容將產(chǎn)生明顯的集電極電流，測量的集電極電流是平頂波形。所以，在集電極電壓上升到V期間，集電極電流決不會等于零。在圖1。18。2c中顯示為電流的平頂波形。盡管這種影響不可避免，但在開關(guān)晶體管已公布的二次擊穿特性中通常被忽略掉。較大集電極dVc/dt值有時要用到，通過選擇合適的C1值便可以得到滿意的dVc/dt值。當(dāng)使用功率MOSFET開關(guān)時，必須要滿足較大dVc/dt值以阻止晶體管寄生振蕩。因此在大多數(shù)高壓功率MOSFET應(yīng)用中仍然要用到緩沖網(wǎng)絡(luò)。